中国、ついに最先端EUV装置を開発。米制裁と独占に終止符か

image: China

中国が、最先端半導体の製造に不可欠とされるEUV（極端紫外線）露光装置の試作機を開発したと報じられています。

これは、AIやスマートフォン、さらには西側諸国の軍事的優位性を支える最先端半導体の製造技術に直結する重要な動きとして注目されています。

報道によると、この試作機は中国・深圳にある高度なセキュリティ下の研究施設で開発されました。EUV露光装置は、現代の半導体製造において最も技術的難易度が高い装置の一つとされており、特にEUV光の安定生成は大きな技術的障壁とされています。

これまで、量産レベルで実用化されたEUV露光装置を保有していた企業は、世界でASML（オランダ）のみでした。ASMLのEUV装置は1台あたり約2億5,000万ドルとされ、NVIDIAやAMDが設計し、TSMC、Intel、Samsungが製造する最先端半導体の生産を支えています。

この重要性から、アメリカは安全保障上の観点で輸出管理を主導し、同盟国と連携する形で中国へのEUV装置の輸出を厳しく制限してきました。EUV装置は、半導体分野における事実上の戦略物資と位置づけられています。

報道によると、今回の中国の試作は、約6年間にわたる国家主導の研究開発プログラムの成果だと伝えています。関係者の一部は、この取り組みを「中国版マンハッタン計画」と表現し、その規模の大きさと秘匿性の高さを強調しています。

また、元ASMLのエンジニアが装置の一部解析に関与し、中国の大手通信機器メーカーであるHuaweiが研究機関や国内サプライヤーの調整役を担ったとも報じられています。

ただし、現時点で試作機はまだ検証段階にあり、実際に動作するチップの製造には至っていないとされています。実用化や量産化については、早くても2028年、場合によっては2030年頃になるとの見方が示されています。

中国の長期的な目的は、最先端半導体分野における技術的自立を進め、米国を含む外国技術への依存を減らすことにあります。今回のEUV装置試作は、その目標に向けた一歩と位置づけられますが、半導体の量産体制確立までには依然として多くの技術的課題が残されています。

今後、中国がどこまでEUV技術を実用レベルに引き上げられるのか、そして世界の半導体サプライチェーンや地政学にどのような影響を与えるのかが注目されます。